技术指标:1、本底真空：<1x10_-6mbar(7.6x10_-4mTorr)。2、6路气体：六氟化硫、三氟甲烷、氩气、氧气、氮气（吹扫用）、氦气（背冷却用）。3、样品通过预真空室装载，碎片需使用载片器（托盘）。取-放系统保证了衬底操作的洁净与安全。预真空室有可编程的吹扫循环工艺、确保操作者安全和腔室洁净。4、一个射频发生器（13.56 MHz, 600 W）用于下电极偏置，另一个用于驱动ICP源（13.56 MHz, 1200 W）。5、样品尺寸：≤8英寸。

应用领域:特别适用于刻蚀在半导体（例如硅）衬底上的微纳结构和介质膜。

技术指标:适用于4英寸及以下尺寸的硅片刻蚀；使用气体有：SF_6，C₄F₈，O₂；掩膜材料可以是光刻胶和氧化硅；刻蚀深宽比20：1以内；同时兼有常温BOSCH工艺和低温CRYO工艺。

应用领域:硅深槽刻蚀。