技术指标:1、带手动基片传片器。2、热ALD和PEALD两种模式。3、热反应腔最大直径：200mm，最高加热温度：500℃。4、等离子反应腔最大直径：200mm，最高加热温度：450℃。5、样品尺寸：8英寸及以下。6、沉积材料：氧化铝、二氧化铪和氮化钛等纳米薄膜材料。7、厚度均匀性：≤±1.0% (4英寸),或≤±2.0% (8英寸)。

应用领域：该系统具备热ALD沉积功能和等离子增强ALD工艺模式，可用于8英寸及以下尺寸的基底氧化铝、二氧化铪和氮化钛等纳米薄膜材料的沉积。

技术指标: 1、反应腔室本底真空： ≤ 1×10^-6mbar。2、反应腔衬底加热温度：20~350℃。3、ICP源功率范围：100~1200W。4、沉积材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅。5、厚度均匀性：±5%（8英寸片）。

应用领域:适用于低温条件下8寸片、4寸片及不规则片氧化硅、氮化硅、碳化硅膜的沉积。

技术指标:1、全套石英器件，4条独立控制气路（氩气、氢气、高、低流量甲烷），气体泄漏探测器。2、独立三温区，最高温度1100℃，恒温均匀性小于0.5℃。3、不小于98%面积的单层石墨烯。4、100mtorr至500torr真空可控，最低真空50mtorr，单独常压尾气排气管路。5、衬底大小：≤50mm×50mm或2英寸。

应用领域:专利技术保证高质量石墨烯生长，成熟工艺程序。

技术指标：1、适用于硅片尺寸及管路数：6英寸（150mm）及以下尺寸，三管系统。2、装片数量：25片及以下。3、淀积膜种类：氮化硅、低应力氮化硅、多晶硅及低应力多晶硅、二氧化硅。4、淀积膜均匀性：氮化硅3%，低应力氮化硅5%，多晶硅及低应力多晶硅3%，二氧化硅3%。  

应用领域: 主要用于氧化硅、氮化硅、多晶硅薄膜的沉积。

技术指标:最高温度：1150℃；
        恒温区长度：350mm；
        最大可控升温速度（400℃～ 1150℃）：15℃/min;
        最大降温速度（1150℃～ 900℃）：5℃/min。

应用领域:供2英寸硅片退火及硼扩散等工艺使用。

技术指标:最高温度：1150℃；
        恒温区长度：350mm；
        最大可控升温速度（400℃～ 1150℃）：15℃/min;
        最大降温速度（1150℃～ 900℃）：5℃/min。

应用领域:供2英寸硅片氧化、退火等工艺使用。

技术指标:最高温度：1150℃；
        恒温区长度：760mm；
        最大可控升温速度（400℃～ 1150℃）：15℃/min;
        最大降温速度（1150℃～ 900℃）：5℃/min。

应用领域:供4英寸硅片硼扩散等工艺使用。

技术指标:最高温度：1150℃；
        恒温区长度：760mm；
        最大可控升温速度（400℃～ 1150℃）：15℃/min;
        最大降温速度（1150℃～ 900℃）：5℃/min。

应用领域:供4英寸硅片氧化、退火等工艺使用。