技术指标:最高温度：550 ℃；最大电压：2.5 KV；最大压力：2 KN；真空度：1×10^-4mbar。

应用领域:该芯片键合机可实现阳极键合、硅硅直接键合、融熔键合、热压键合等多种圆片级键合形式。

技术指标:主腔室材料：石英；主腔室容积：6升；主腔室尺寸：直径150mm,深度260mm；工艺压力：1-100Pa；样品大小≤4英寸。

应用领域:可以基片表面活化，可去除不同厚度的光刻胶。

技术指标:掩模版适用尺寸：五英寸；基片尺寸：4英寸及以下不规则形状基片；汞灯功率：350W；分辨率：2μm。

应用领域:单面对准曝光。

技术指标:1、宽带光源365，紫外接近，接触式光刻，可实现双面对准。2、最大曝光面积φ100mm。分辨率：1μm。套刻精度：±1μm。2、样品大小：≤4英寸，厚度小于3mm。3、光刻板尺寸：4寸样片5寸版，3寸以下样片4寸或5寸版。

应用领域:将芯片制作所需要的线路与功能区图形从掩膜板复制到样品上。光刻机发出的光通过具有图形的掩膜版对涂有光刻胶的样片曝光，利用感光后的光刻胶在溶液中的溶解速度不同实现图形的复制。