技术指标:1、5支2英寸磁控溅射靶枪。2、基片加热器采用高温加热材料，最高温度可达到800℃。3、溅射方式：为避免微粒物质落到基片上，采用基片在上、磁控溅射靶在下的结构，即由下向上溅射。4、工作模式：可以采用单靶独立、多靶轮流或组合共溅工作模式，向心溅射。5、溅射镀膜室的极限真空：5 x 10^-10torr。6、样品尺寸：≤4英寸。

应用领域:适用于镀制各种单层膜、多层膜。可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜（需配射频电源）、介质复合膜和其它化学反应膜。

技术指标:1、极限真空5×10^-4 Pa。2、蒸发源：DZQ10/4磁偏转e型电子枪一套。功率：10KW，电压：6KV、10KV，束流：0～1A可调，坩埚数：4，坩埚容量：40ml。3、适合4英寸及以下各种规格基片。

应用领域:主要用沉积金属膜。

技术指标:1、3支3英寸磁控溅射靶。2、基片加热器采用高温加热材料，最高温度可达到600℃。3、真空性能：A. 极限真空(Ultimate Pressure):1E-7Torr；B. 真空抽速：30分钟从大气压抽到5E-6Torr；C.真空室漏率：5E-5Torr.L/s。4、镀膜均匀性和重复性：在4英寸衬底厚度均匀性优于±5%，重复性优于±3%。5、样品尺寸：≤6英寸。

应用领域:主要用于加工沉积高质量、厚度精确控制的金属薄膜和介质薄膜。

技术指标:1.极限真空8.0×10-4Pa。2.三个直径为100mm的磁控靶，靶基距为8cm不可调。3.一套直流靶电源，功率为2KW。一套13.56MHZ的射频电源，功率为1.5KW。4.工件转盘转速0-20转/分可调。5.适合4英寸及以下各种规格基片。

应用领域:主要用于沉积金属膜。

技术指标:极限真空8×10-4Pa；两个直径为100mm的磁控靶；一套直流靶电源，功率为1KW；一套13.56MHZ的射频电源，功率为1KW；样品尺寸：≤4英寸。

应用领域:主要用沉积金属膜和非金属膜。