报告题目：英特尔研发工作介绍及半导体行业前沿分享
报告人：杨登亮，英特尔，首席工程师
时间：12月17日（星期二），上午9:30-11:00
地点：亦玄馆 302 会议室
邀请人：崔景芹
报告人简介：
杨登亮，英特尔，首席工程师。浙江大学，化学工程 & 工高班学士；新加坡麻省理工联合培养(Singapore-MIT Alliance for Research and Technology)，高新材料硕士；加州大学圣地亚哥分校，材料科学与工程博士。现任英特尔存储部首席工程师，负责3D NAND制程技术研发。在美国应用材料公司(Applied Materials)和泛林研发公司(Lam Research)工作十年, 历任高级工程师, 主任工程师, 技术经理，资深技术经理等职。期间，开发纳米制造薄膜沉积和等离子体蚀刻设备和制程, 推动65纳米到7纳米六代芯片生产工艺，两度获泛林研发公司杰出贡献奖。热心社团服务: 华美半导体协会执行理事成员，25周年纪念刊主编，2017年会主席; 求是缘半导体联盟北美分会主要发起人之一。2018年11月成为求是缘半导体联盟理事。
将介绍英特尔公司研发工作环境、存储技术前景；分享半导体行业前沿趋势。
发布：2019年12月16日 09:42
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